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제품 상세 정보:
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| 제품: | 096인치 OLED 디스플레이 | 화소의 수: | 128x64 화소 |
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| 드라이버 IC: | SSD1315 또는 동급 | 표시 모드: | 수동 매트릭스 |
| 색상 표시: | 흑백(흰색) | 운전 의무: | 1/64 의무 |
| 패널 사이즈: | 24.7 x 16.6 x 1.3 (mm) | 활동 영역: | 21.74 x 11.175 (mm) |
| 관측 방향: | 모든 시야 각도 | 인터페이스: | SPI/I2C/8080 |
| 연결: | 플러그 접속식 제품 | 핀 번호: | 30개의 핀 (자격화 할 수 있습니다) |
| 운영 임시: | -40C - +70C | 저장 온도: | -40C - +85C |
| 사용 시간: | 50,000 시간 @ 60cd/m2 | 순응성: | 순응한 한계와 로에스 |
| 강조하다: | 128X64 OLED 디스플레이,SPI OLED 디스플레이,30 핀 OLED 디스플레이 |
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도매 가격 0.96 인치 OLED 디스플레이 제품 소개
0.96인치 OLED 디스플레이 화면은 작은 자명 디스플레이 장치로, 가벼운 무게, 낮은 전력 소비, 높은 콘트라스트,그리고 넓은 관점 특성0.96인치 OLED 디스플레이는 일반적으로 SSD1315 / SSD1306 드라이버 칩을 사용하며 6800 및 8080 병렬, 3선 또는 4선 직렬 SPI 및 IIC 인터페이스 모드를 포함한 여러 인터페이스 모드를 지원합니다.이 유형의 디스플레이 화면은 자체 조명 특성을 가지고 있으며 백라이트가 필요하지 않습니다., 더 나은 디스플레이 성능, 더 빠른 응답 속도, 더 넓은 관점으로 이어집니다.
SAEF 테크놀로지가 생산한 0.96인치 OLED 디스플레이는 스마트폰, 스마트워치, 건강 모니터링 장치, 산업 제어 시스템, 휴대용 게임 콘솔,그리고 작고 효율적인 디스플레이가 필요한 다른 경우기술의 지속적인 발전과 시장 수요의 성장으로 0.SAEF 테크놀로지의 96인치 OLED 디스플레이는 디스플레이 성능 측면에서 더욱 최적화되고 개선될 것으로 예상됩니다.한편 사물인터넷과 웨어러블 디바이스의 급속한 발전으로이러한 작은 OLED 디스플레이의 적용 가능성은 더욱 넓어질 것입니다..
대용량 생산의 지원으로 SAEF 테크놀로지는 생산 비용을 제어하고 생산 프로세스를 최적화하여 0.96인치 작은 OLED 제품에 매우 낮은 비용을 초래합니다.대량 생산을 위한 많은 사용자들의 필요를 충족시키는.
특징
| 부문 | 사양 | 단위 |
| 모델 번호 | SFOS096XZ-7120AP | |
| 대각선 크기 | 0.96 | 인치 |
| 결의 | 128x 64 | 점 |
| 활동 영역 | 21.740 ((W) × 11.175 ((H) | mm2 |
| 윤곽 차원 | 24.70 (W) x 16.60 (H) | mm2 |
| 픽셀 피치 | 0.170 (W) × 0.175 (H) | mm2 |
| 픽셀 크기 | 0.150 ((W) × 0.150 ((H) | mm2 |
| 드라이버 IC | SSD1315Z | - |
| 색상 표시 | 흰색 | - |
| 회색 | 1 | 조금 |
| 인터페이스 | 4-SPI/I2C/8080 | - |
| IC 패키지 유형 | COG | - |
| 모듈 연결 타입 | 군인 | - |
| 두께 | 10.30 ± 0.1 | mm |
| 무게 | TBD ± 10% | g |
| 의무 | 1/64 | - |
윤곽 그림
인터페이스 핀 정의
| 아니 | 기호 | 설명 |
| 1 | NC | 연결이 없어 |
| 2 | C1N |
충전 펌프 콘덴서에 대한 CXP/CXN-Pin; 콘덴서로 서로 연결 |
| 3 | C1P | |
| 4 | C2P | |
| 5 | C2N | |
| 6 | VBAT | 충전 펌프 조절 회로 전원 공급 장치 |
| 7,10 | NC | 연결이 안 돼 |
| 8 | VSS | 이것은 바닥 핀입니다. |
| 9 | VDD | 핵심 논리 동작에 필요한 전원 공급 핀 |
| 11 | BS1 |
MCU 버스 인터페이스 선택 핀 |
| 12 | BS2 | |
| 13 | CS | 이것은 칩 선택 입력입니다. |
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14 |
RES |
신호 입력을 재설정합니다.핀이 낮게 당겨지면 칩의 초기화가 실행됩니다. 정상 작동 중에 이 핀을 높게 유지하십시오 ((즉 VDD에 연결) |
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15 |
A0 |
이것은 데이터 / 명령 제어 핀입니다. HIGH을 당겨 (즉 VDD에 연결), D[7:0]의 데이터는 데이터로 취급됩니다. LOW를 당기면 D[7:0]의 데이터가 명령 레지스터로 전송됩니다. I2C 모드에서는 이 핀이 슬레이브 주소 선택에 SA0로 작용합니다. 3선 직렬 인터페이스가 선택되면 이 핀은 VSS에 연결되어야 합니다. |
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16 |
WR |
이것은 MCU 인터페이스에 연결되는 읽기 / 쓰기 제어 입력 핀입니다. 8080 인터페이스 모드가 선택되면, 이 핀은 Write (WR#) 입력입니다. 이 핀이 LOW로 당겨지고 칩이 선택되면 데이터 쓰기 작업이 시작됩니다. |
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17 |
연구 및 개발 |
8080 시리즈 마이크로프로세서에 연결할 때, 이 핀은 읽기 (RD#) 신호를 수신한다. 이 핀을 낮게 당겨 칩을 선택하면 재작업이 시작된다. 일련 또는 I2C 인터페이스가 선택되면 이 핀은 VSS에 연결되어야 합니다. |
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18 ~ 25 |
D0 ~D7 |
이들은 마이크로프로세서의 데이터 버스와 연결될 8비트 양방향 데이터 버스입니다. 일련 인터페이스 모드가 선택되면 D0은 일련 시계 입력입니다.D1은 일련 데이터 입력입니다.: SDIN와 D2는 NC로 유지되어야 합니다. I2C 모드가 선택되면, D2, D1는 함께 묶여서 SDAout, SDAin의 응용으로 작동해야 하며, D0은 일련 시계 입력, SCL입니다. |
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26 |
IREF |
이것은 세그먼트 출력 전류 참조 핀입니다. 외부 IREF가 사용되면 IREF 전류를 30uA로 유지하기 위해 이 핀과 VSS 사이에 저항이 연결되어야 합니다. 내부 IREF를 사용할 때 이 핀은 NC로 유지되어야 합니다. |
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27 |
VCOMH |
COM 신호의 핀은 전압 수준을 선택하지 않았습니다. 이 핀과 VSS.Com 사이에 콘덴시터를 연결해야 합니다 |
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28 |
VCC |
패널 구동 전압에 대한 전원 공급. 이것은 또한 가장 긍정적 인 전압 공급 핀입니다. 충전 펌프가 활성화되면 이 핀과 VSS 사이에 콘덴시터가 연결되어야 합니다. |
| 29,30 | NC | 연결이 안 돼 |
절대 최대 등급
| 부문 | 분. | 맥스. | 단위 |
| 공급 전압 (VDD) | -0.3 | +40 | V |
| 공급 전압 (VBAT) | -0.3 | +60 | V |
| 공급 전압 (VCC) | 0 | +18.0 | V |
| 작동 온도 (TOP) | -40 | 70 | °C |
| 저장 온도 (TST) | -40 | 85 | °C |
DC 특성
| 부문 | 기호 | 미네 | 타이프. | 맥스 | 단위 | |
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공급 전압 |
논리 공급 전압 IC | VDD | 1.65 | 3.0 | 3.5 | V |
| 충전 펌프 조절기 공급 전압IC |
VBAT |
3.0 |
3.3 |
4.5 |
V |
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운영 (OLED 패널) |
VCC |
7.0 |
7.5 |
8.0 |
V |
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입력 전압 |
고전압 | HIV | 0.8 x VDD | - | VDD | V |
| 저전압 | VIL | 0 | - | 0.2 x VDD | V | |
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출력 전압 |
고전압 | VOH | 0.9 x VDD | - | VDD | V |
| 저전압 | VOL | VSS | - | 0.1 x VDD | V | |
프로드uct 이미지
신뢰성 검사
| - 아니 | 항목 | 조건 | 양 |
| 1 |
고온 저장장 (HTS) |
85±2°C, 200시간 | 3 |
| 2 |
고온 작동 (HTO) |
70±2°C, 96시간 | 3 |
| 3 |
낮은 온도 저장 (LTS) |
-40±2°C, 200시간 | 3 |
| 4 |
낮은 온도 작동 (LTO) |
-40±2°C, 96시간 | 3 |
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5 |
높은 온도 높은 습도 저장 (HTHHS) |
50±3°C, 90%±3%RH, 120시간 |
3 |
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6 |
열 충격 (운동하지 않음) (TS) |
-20±2°C ~ 25°C ~ 70±2°C (30분) (5분) (30분) 10주기 |
3 |
| 7 | 진동 ( 포장) |
10~55~10Hz, 진폭 1.5mm, 각 방향 x, y, z에 1시간 |
1 팩 |
| 8 | 투여 (포고) | 높이: 1m, 6면, 3면, 1각 | 1 팩 |
| 9 | ESD (완료 제품 하우징) | ±4kVR:330Ω; C:150pF 10배, 공기 방출 | 3 |
시설 및 인증서
저희와 연락
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